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[资料分享] 充分利用MSP430的FLASH储存空间

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一粒金砂(中级)

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发表于 2019-12-4 22:14 | 只看该作者 |倒序浏览 |阅读模式

把MSP430的FLASH调了一下,发现我们可以利用430自身的FLASH,而不必去扩充EEROM来储存用户的数据。 
用途:可用来存储A/D采集的数据,如果是常量就不要用这种方法了,直接"CONST"就行了,编译器自动储存到FLASH里。 

具体方法:  先把完整的程序编好(不包括FLASH的),然后编译(我用的是IAR,CCE没试过),进行在线仿真(软仿真硬仿真均可),在菜单栏选择"View/Memory",然后就可以看到FLASH 各个地址的数据了,记下FLASH 还没有被程序占用的空间的地址,然后将FLASH的程序加到你的主程序里,再编译,检验你记下的地址是否被程序占用,如果占用就选择一个新的地址就可以了。然后就可以向FLASH里写数据了。 

注意事项: 不要向有程序代码的空间写数据,那样会导致程序运行不正常; 
           写数据之前要先擦除; 
           不要向0段FLASH里写数据,那里面有你程序中的中断向量; 
           最好选择每段的起始地址作为数据储存的首地址; 

总结: 这种方法不需要扩充外存储器,可以降低系统的复杂度和系统功耗。 
       我也不知道这种方法实用不实用,既然有这种方法,我就发上来了,分享一下^_^。 
代码如下: 

 

// 注意时钟源的选择,flash_clk:500k(官方资料是250K—475K) 
//********************************************************************************** 
#include  <msp430x16x.h> 
#include"FLASH.H" 
//addr:FLASH的一个段首地址, value:数组名 count:要储存的数据个数 
//把FLASH地址、数组名 和要存储的数据的个数 赋给下面的函数,就可以写入了 
//********************************************************************************** 
void write_flash_char (unsigned int addr, char *array,int count) //写 char型数组 

  char *Flash_ptr;                          // Flash pointer 
  int i; 
  Flash_ptr = (char *)addr;                 // Initialize Flash pointer 
  FCTL1 = FWKEY + ERASE;                    // Set Erase bit 
  FCTL3 = FWKEY;                            // Clear Lock bit 
  *Flash_ptr = 0;                           // Dummy write to erase Flash segment 
   FCTL1 = FWKEY + WRT;                     // Set WRT bit for write operation

  for (i=0; i<count; i++) 
  { 
    *Flash_ptr++ = array[I];                // Write value to flash 
  } 
  FCTL1 = FWKEY;                            // Clear WRT bit 
  FCTL3 = FWKEY + LOCK;                     // Set LOCK bit 
}

//********************************************************************************** 
void write_flash_int (unsigned int addr, int *array,int count) //addr为段首地址,写 int型数组 

  int *Flash_ptr;                           // Flash pointer 
  int i; 
  Flash_ptr = (int *)addr;                   // Initialize Flash pointer 
  FCTL1 = FWKEY + ERASE;                     // Set Erase bit 
  FCTL3 = FWKEY;                             // Clear Lock bit 
  *Flash_ptr = 0;                            // Dummy write to erase Flash segment 
   FCTL1 = FWKEY + WRT;                      // Set WRT bit for write operation 
  for (i=0; i<count; i++) 
  { 
    *Flash_ptr++ = array[I];                 // Write value to flash 
  }

  FCTL1 = FWKEY;                            // Clear WRT bit 
  FCTL3 = FWKEY + LOCK;                     // Set LOCK bit 
}

//********************************************************************************** 
char read_flash_char0(unsigned int addr) //读单字节 
{ char *address; 
  address=(char*)addr; 
  return *address; 
}

//********************************************************************************** 
//把FLASH地址、数组名 和要读取的数据的个数 赋给下面的函数,就可以读入了 
void read_flash_char1(unsigned int addr,char *array,int count) //读一串数据 
{ char *address=(char *)addr; 
  for(int i=0;i<count;i++) 
   { 
     array[I]=*address++; 
      
   } 
}

//********************************************************************************** 
int read_flash_int0(unsigned int addr) //偶地址,读一个字 

 int *address=(int *)addr; 
 return *address; 
}

//********************************************************************************** 
void read_flash_int1(unsigned int addr,int *array, int count) //读整形数组 

 int *address=(int *)addr; 
 for(int i=0;i<count;i++) 
   { 
     array[I]=*address++; 
      
   } 
}

//********************************************************************************** 
void init_flash(void) 

 FCTL2 = FWKEY + +FSSEL1+FSSEL0 + FN0;   // (DCO)SMCLK/2 for Flash Timing Generator 
 }



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